文章编号：1631 / 更新时间：2024-12-30 15:02:11 / 浏览：次

在 Web 开发中，有时需要获取或设置当前 URL 的片段部分。片段部分是 URL 中哈希符号 () 后面的部分。它通常用于在不重新加载页面或改变浏览历史记录的情况下更改页面可见的部分。

要获取当前 URL 的片段部分，可以使用 `location.hash` 属性。该属性返回一个字符串，其中包含哈希符号及其后的文本。

    const hash = location.hash;

要设置当前 URL 的片段部分，请将字符串值分配给 `location.hash` 属性。

    location.hash = "new-fragment";

以下是使用 `location.hash` 获取或设置 URL 片为 "new-fragmentsub-fragment"，可以使用以下代码：

      location.hash = "new-fragmentsub-fragment";

要获取 URL 片段，可以使用以下代码：

      const hash = location.hash;

请注意，`location.hash` 不会对浏览器历史记录产生任何影响。更改片段部分不会创建新的历史记录条目，也不会使当前历史记录条目无效。

利用 LOCOS 工艺进行场氧化时，容易出现的问题

LOCOS（局部氧化硅）工艺是一种用于创建隔离开源电极器件的半导体制造工艺。在 LOCOS 工艺中，一层薄的氮化硅掩模被沉积在硅片上。然后在掩模区域之外进行氧化，形成一层二氧化硅。二氧化硅层用作场氧化物，隔离源极和漏极电极。

在 LOCOS 工艺中，可能会出现以下问题：

• 鸟嘴缺陷： 鸟嘴缺陷是在场氧化物边缘形成的尖锐的边缘。这些缺陷会增加电容并降低器件的击穿电压。
• 掩模侵蚀： 掩模侵蚀是掩模在氧化过程中被蚀刻的问题。这会导致场氧化物侧壁粗糙，从而增加电容并降低击穿电压。
• 氧化层缺陷： 氧化层缺陷是场氧化物中存在的孔或裂纹。这些缺陷会允许电流流过场氧化物，从而导致器件失效。

为了防止这些问题，可以使用以下技术：

• 使用高质量的掩模材料： 高质量的掩模材料（如氮化硅）不容易被氧化或蚀刻。
• 优化氧化工艺： 优化的氧化工艺可以减少鸟嘴缺陷和掩模侵蚀。
• 使用氧化层修复工艺： 氧化层修复工艺可以填补氧化层缺陷，防止电流泄漏。

相关标签： 利用LOCOS工艺进行场氧化时、 URL、 `location.hash`、 片段、 利用、 获取或设置当前、 容易出现、

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